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ISL9R1560G2, ISL9R1560P2, ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S
—
STEALTH? Diode
Figure 7.
Reverse Recovery
So
ftness Factor
v
s
diF/dt
Figure 9.
Junction
Capacitance
vs Reverse Voltage
Figure 10. DC Current Derating Curve
Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Typical Performance Curves (Continued)
diF/dt,
CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μdiF/dt,
CURRENT
RA
TE
OF
CHANGE (A/μs)
s)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 30A
IF
= 15A
IF
= 7.5A
S, REVERSE RECOVERY SOFTNESS FACTOR
1000
1600
1400
400
200
600 800
1200
200200
300
400
500
600
700
VR
= 390V, T
J
= 125
°C
IF
= 30A
IF
= 15A
IF
= 7.5A
Q
RR
, REVERSE RECOVERED CHARGE (nC)
1000
1600
1400
400
600 800
1200
400
0
800
600
200
1200
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
C
J
, JUNCTION CAPACITANCE (pF)
0.1
1
100
10
1000
4
0140 175145
160
170
150 155 165
12
14
16
TC, CASE TEMPERATURE (oC)
I
F(AV)
, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
2
10
6
8
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10-5
10-2
10-1
Z
θ
JA,
NORMALIZED
THERMAL IMPEDANCE
0.01
10-4
10-3
SINGLE PULSE
100
0.1
101
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ
= P
DM
x Z
θJA
x R
θJA
+ T
A
PDM
t1
t2
1.0
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R1560P2, ISL9R1560G2,
ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S Rev. C1
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
Reverse Recovered Charge vs diF/dt
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